リーズナブルな価格で提供される韓国特許/商標サービス

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Korean IP Help Deskは、クライアントの技術創作、ブランド、工業デザインを専門的に管理する韓国の知的財産サービスです。

当事務所は、知的財産権紛争に関する包括的なサービスを提供しております。当事務所のサービスには、侵害、権利濫用、希釈化、不正競争に関する裁判や訴訟の取り扱いが含まれます。当事務所のチームは豊富な経験を有しており、特許庁、特許裁判所、および世界中の民事裁判所においてクライアントの代理を務めることができます。

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01

韓国におけるPCT国内段階移行

PCT出願のための韓国国内段階エントリーをサポートします。

02

マドリッド商標制度

韓国知的財産庁が発行したマドリッド商標出願のオフィスアクションの解決をサポートします。

03

ハーグ工業意匠制度

韓国知的財産庁が発行するハーグ意匠出願のオフィスアクションを解決します。

04

韓国へ直接出願

優先権主張の有無にかかわらず、韓国への直接出願をお手伝いします。

KIHDが選ばれる理由

多くの法律事務所やオフィスの中から、
どのようにして適切な弁理士を見つけるのでしょうか? 答えはKIHDにあります。

包括的な IPサービス

特許調査から出願、登録、メンテナンスまで知的財産に関するすべての要求にオールインワンサービスを提供します。

カスタマイズ
顧客別アプローチ

お客様一人ひとりに合った戦略をご提案することで、お客様独自のニーズを優先します。効率的な結果、お問い合わせへの迅速な対応、そして専任のテクノロジーと専門知識によるきめ細やかなサポートをお約束します。

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知的財産権保護

特許、意匠、著作権、その他の知的財産権をあらゆるレベルで保護し、知的資産の包括的な保護計画を策定します。

韓国マケット専門家

当事務所は、複雑な韓国知的財産権法をナビゲートし、お客様の特許取得を最大限に成功に導きます

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知的財産を社会のために活用し、知的財産の価値を高め、皆様のアイデアやイノベーションからビジネスチャンスを生み出すことに尽力しています。

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当事務所は競争力のある価格で優れたサービスを提供するために努力しています。質や効果を損なうことなく優れた知的財産サービスにアクセスできるよう、手頃で満足のいく料金を提供します。

クライアント

当社の出願サービス利用したクライアントのリストです。

数々の多様なリクエストにもかかわらず、いつも素晴らしい結果を出してくれて感謝しています。

Mr. Eunsik Park

Co-CEO of Team Elysium Inc.

KIHDであるカン・ジュヨン氏のご尽力に深く感謝申し上げます。まだまだ特許出願は続きますので、今後ともよろしくお願いいたします。

Mr. Sangyeong Ha

CEO of Vaudium Inc.

ついに、初めての特許査定が出ました。いつも努力してくれてありがとうごじゃいます。

Mr. Dongmin Seo

Director of Doodlin Inc.

最近登録された特許/商標

多くのお客様がKIHDのサービスをご利用いただいております。

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STRUCTURE FOR GENERATING HIGH POWER MICROWAVE SIGNALS(고출력 마이크로파 신호 생성 구조체)
drawings Application No. Applicant
1020210115397 (2021.08.31) RFHIC CORPORATION
Registration No. Publication No.
1026710240000 (2024.05.27) 1020210135945 (20211116)
Legal Status IPC Code(s)
Registered H01P 5/107 H03F 3/60
Abstract
The present invention relates to the high power microwave signal generator for the industry. More specifically, the invention comprises the input port respectively combined with solid power amplifier more than solid power amplifier (SSPA: solid state power amplifier) having the same shape generated the micro wave signal more than 3 2 and the power combining structure including one output unit outputting the output signal uniting inputted signals with input ports and the output waveguide which is combined in the output unit and outputs the signal. The opening part of the output waveguide and output unit is disposed to face to the direction like the direction in which solid power amplifiers are combined about the power combining structure.
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SOLK
drawings Application No. Applicant
4020217033573 (2021.03.12) Krolk GmbH|Krolk GmbH
Registration No. Publication No.
1612201 (2023.03.23) 4020230011320 (2023.01.17)
Legal Status Classification
Registered 01 25
Summary
LIVE/REGISTRATION/ Issued and Active
The trademark application has been registered with the Office.
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METHOD FOR PACKAGING Ⅲ-Ⅴ COMPOUND SEMICONDUCTOR AND Ⅲ-Ⅴ COMPOUND SEMICONDUCTOR PACKAGE USING THE SAME(Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 패키징 방법, 및 이를 이용하여 제조된 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 패키지)
drawings Application No. Applicant
1020210050772 (2021.04.19) RFHIC CORPORATION
Registration No. Publication No.
1024566530000 (2022.10.14) -
Legal Status IPC Code(s)
Registered H01L 23/00 H01L 29/778
Abstract
The , specifically, the III- Ⅴgroup compound semiconductor package is in the disclosure about the semiconductor package. And more specifically, it relates to the gallium nitride semiconductor package and the packaging method for manufacturing this. More specifically, the semiconductor packaging method of this Odes and the Histories comprises the process of forming the metallic microfilm pattern on the first step of forming the via hole on the substrate, and the upper side of the substrate, the second step it forms the seed layer on the inner surface of the via hole and of performing the process of charging the via hole the first layer of material in the lower-side of the substrate after doing the junction to the electric conduction metal material., and the seed layer, and 5th step forming the second material layer on 3rd step of performing the thermal process in order to enhance the adhesive force between the substrate, and the substrate or conjugating and of forming 4th step that the semiconductor die is inserted into the second material layer and three dimensional package structure which is electrically connected to the second above material layer with the semiconductor die.
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Untitled
drawings Application No. Applicant
4020220123581 (2022.07.04) RFHIC CORPORATION
Registration No. Publication No.
4019384770000 (2022.11.23) 4020220110714 (2022.09.05)
Legal Status Classification
Registered 09
Summary
LIVE/REGISTRATION/ Issued and Active
The trademark application has been registered with the Office.
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GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE WITH EXCESSIVE SOURCE FINGERS FOR ENHANCING THERMAL CHARACTERISTIC(열 특성의 향상을 위한 여분의 소스 핑거를 갖춘 질화 갈륨 기반 반도체 소자)
drawings Application No. Applicant
1020210015242 (2021.02.03) RFHIC CORPORATION
Registration No. Publication No.
1024566580000 (2022.10.14) 1020220111887 (20220810)
Legal Status IPC Code(s)
Registered H01L 29/417 H01L 29/778 ....
Abstract
The , specifically, the gallium nitride (gallium nitride: GaN) base semiconductor device like the AlGaN / GaN HFET is in the disclosure about the semiconductor device. And more specifically, it relates to the layout structure of the gallium nitride base semiconductor including the source finger for the heat characteristic enhancement.
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RFMTL
drawings Application No. Applicant
4020220219815 (2022.11.30) RFHIC CORPORATION
Registration No. Publication No.
4020139950000 (2023.04.28) 4020230022159 (2023.02.03)
Legal Status Classification
Registered 09
Summary
LIVE/REGISTRATION/ Issued and Active
The trademark application has been registered with the Office.