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韓国におけるPCT国内段階移行
PCT出願のための韓国国内段階エントリーをサポートします。
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マドリッド商標制度
韓国知的財産庁が発行したマドリッド商標出願のオフィスアクションの解決をサポートします。
03
ハーグ工業意匠制度
韓国知的財産庁が発行するハーグ意匠出願のオフィスアクションを解決します。
04
韓国へ直接出願
優先権主張の有無にかかわらず、韓国への直接出願をお手伝いします。
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クライアント
当社の出願サービス利用したクライアントのリストです。
数々の多様なリクエストにもかかわらず、いつも素晴らしい結果を出してくれて感謝しています。
Mr. Eunsik Park
Co-CEO of Team Elysium Inc.
KIHDであるカン・ジュヨン氏のご尽力に深く感謝申し上げます。まだまだ特許出願は続きますので、今後ともよろしくお願いいたします。
Mr. Sangyeong Ha
CEO of Vaudium Inc.
ついに、初めての特許査定が出ました。いつも努力してくれてありがとうごじゃいます。
Mr. Dongmin Seo
Director of Doodlin Inc.
最近登録された特許/商標
多くのお客様がKIHDのサービスをご利用いただいております。
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| STRUCTURE FOR GENERATING HIGH POWER MICROWAVE SIGNALS(고출력 마이크로파 신호 생성 구조체) | |||
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Application No. | Applicant | |
| 2020200001520 (2020.05.06) | RFHIC CORPORATION | ||
| Registration No. | Publication No. | ||
| 2004942660000 (2021.09.01) | - | ||
| Legal Status | IPC Code(s) | ||
| Registered | H01P 5/107 H03F 3/60 | ||
| Abstract | |||
| The present invention relates to the high power microwave signal generator for the industry. More specifically, the invention comprises the input port respectively combined with solid power amplifier more than solid power amplifier (SSPA: solid state power amplifier) having the same shape generated the micro wave signal more than 3 2 and the power combining structure including one output unit outputting the output signal uniting inputted signals with input ports and the output waveguide which is combined in the output unit and outputs the signal. The opening part of the output waveguide and output unit is disposed to face to the direction like the direction in which solid power amplifiers are combined about the power combining structure. | |||
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| SOLK | |||
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Application No. | Applicant | |
| 4020217033573 (2021.03.12) | Krolk GmbH|Krolk GmbH | ||
| Registration No. | Publication No. | ||
| 1612201 (2023.03.23) | 4020230011320 (2023.01.17) | ||
| Legal Status | Classification | ||
| Registered | 01 25 | ||
| Summary | |||
| LIVE/REGISTRATION/ Issued and Active The trademark application has been registered with the Office. |
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| METHOD FOR PACKAGING Ⅲ-Ⅴ COMPOUND SEMICONDUCTOR AND Ⅲ-Ⅴ COMPOUND SEMICONDUCTOR PACKAGE USING THE SAME(Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 패키징 방법, 및 이를 이용하여 제조된 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 패키지) | |||
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Application No. | Applicant | |
| 1020210050772 (2021.04.19) | RFHIC CORPORATION | ||
| Registration No. | Publication No. | ||
| 1024566530000 (2022.10.14) | - | ||
| Legal Status | IPC Code(s) | ||
| Registered | H01L 23/00 H01L 29/778 | ||
| Abstract | |||
| The , specifically, the III- Ⅴgroup compound semiconductor package is in the disclosure about the semiconductor package. And more specifically, it relates to the gallium nitride semiconductor package and the packaging method for manufacturing this. More specifically, the semiconductor packaging method of this Odes and the Histories comprises the process of forming the metallic microfilm pattern on the first step of forming the via hole on the substrate, and the upper side of the substrate, the second step it forms the seed layer on the inner surface of the via hole and of performing the process of charging the via hole the first layer of material in the lower-side of the substrate after doing the junction to the electric conduction metal material., and the seed layer, and 5th step forming the second material layer on 3rd step of performing the thermal process in order to enhance the adhesive force between the substrate, and the substrate or conjugating and of forming 4th step that the semiconductor die is inserted into the second material layer and three dimensional package structure which is electrically connected to the second above material layer with the semiconductor die. | |||
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| NUH'UN ANKARA MAKARNASI | |||
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Application No. | Applicant | |
| 4020220126335 (2022.07.07) | Nuhun Ankara Makarnasi Sanayi Ve Ticaret Anonim Sirketi | ||
| Registration No. | Publication No. | ||
| 4021801990000 (2024.04.08) | 4020230219988 (2023.12.26) | ||
| Legal Status | Classification | ||
| Registered | 30 | ||
| Summary | |||
| LIVE/REGISTRATION/ Issued and Active The trademark application has been registered with the Office. |
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| GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE WITH EXCESSIVE SOURCE FINGERS FOR ENHANCING THERMAL CHARACTERISTIC(열 특성의 향상을 위한 여분의 소스 핑거를 갖춘 질화 갈륨 기반 반도체 소자) | |||
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Application No. | Applicant | |
| 1020210015242 (2021.02.03) | RFHIC CORPORATION | ||
| Registration No. | Publication No. | ||
| 1024566580000 (2022.10.14) | 1020220111887 (20220810) | ||
| Legal Status | IPC Code(s) | ||
| Registered | H01L 29/417 H01L 29/778 .... | ||
| Abstract | |||
| The , specifically, the gallium nitride (gallium nitride: GaN) base semiconductor device like the AlGaN / GaN HFET is in the disclosure about the semiconductor device. And more specifically, it relates to the layout structure of the gallium nitride base semiconductor including the source finger for the heat characteristic enhancement. | |||
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| Untitled | |||
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Application No. | Applicant | |
| 4020220123581 (2022.07.04) | RFHIC CORPORATION | ||
| Registration No. | Publication No. | ||
| 4019384770000 (2022.11.23) | 4020220110714 (2022.09.05) | ||
| Legal Status | Classification | ||
| Registered | 09 | ||
| Summary | |||
| LIVE/REGISTRATION/ Issued and Active The trademark application has been registered with the Office. |
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